Χοάνη προϊόντων μολυβδαίνιου βολφραμίου υψηλής αγνότητας του ISO για τον οσμηρό μετάλλων

99.95% χοάνη μολυβδαίνιου βολφραμίου αγνότητας για τον οσμηρό μετάλλων

Χαρακτηριστικό γνώρισμα:

Υψηλή θερμική αγωγιμότητα, συντελεστής θερμικής επέκτασης

Μεγάλη δύναμη κάτω από υψηλής θερμοκρασίας

Αντιτριβική αντίσταση διάβρωσης

Το αγαθό σκληραίνει τη δυνατότητα

Συμπυκνώνοντας χοάνη βολφραμίου
Πυκνότητα: 18.0 - 18,5 g/cm3

Θερμοκρασία εργασίας: συνεχές ρεύμα 1800 - 2600
Διάμετρος: 100 - 500mm (μέγιστο)

Χοάνη βολφραμίου σφυρηλατημένων κομματιών

Πυκνότητα: 18.5 - 19,0 g/cm3

Θερμοκρασία εργασίας: συνεχές ρεύμα 1800 - 2.600
Διάμετρος: 18 - 150mm (μέγιστο)

Cubage: 2 - 500 μιλ.

Γενικές πληροφορίες

Χοάνες βολφραμίου (αγγλικό όνομα: Οι χοάνες βολφραμίου) είναι ένα από τα προϊόντα βολφραμίου μετάλλων, που διαιρείται κυρίως σχηματοποίηση συμπύκνωσης (που εφαρμόζεται σε για να κονιοποιήσει την τεχνολογία μεταλλουργίας), σχηματοποίηση σφράγισης, περιστρέφοντας τον τύπο. Διαμορφώνεται με τη στροφή της ράβδου βολφραμίου (το γενικό μέγεθος είναι σχετικά μικρό), και η συγκόλληση είναι διάφορη. Το καθαρό πιάτο βολφραμίου, το κομμάτι βολφραμίου και η καθαρή ράβδος βολφραμίου υποβάλλονται σε επεξεργασία με τις αντίστοιχες διαδικασίες. Rhenium βολφραμίου μπορεί να χρησιμοποιηθεί στα κενά αδρανή αέρια κάτω από 2600 βαθμούς. Το βολφράμιο έχει ένα υψηλό σημείο τήξης, μια υψηλής θερμοκρασίας δύναμη, μια ενάντια στη φθορά και αντίσταση διάβρωσης, μια υψηλή θερμική αγωγιμότητα, έναν μικρό συντελεστή θερμικής επέκτασης και ένα καλό hardenability. Το βολφράμιο-rhenium χρησιμοποιείται ευρέως στον οσμηρό σπάνια γαίας, το γυαλί χαλαζία, τον ηλεκτρονικό ψεκασμό, την αύξηση κρυστάλλου και άλλες βιομηχανίες.

Χημική σύνθεση

Εφαρμογή

Δεδομένου ότι το σημείο τήξης του βολφραμίου είναι τόσο υψηλό όπως 3410 ° Γ, rhenium βολφραμίου χρησιμοποιείται ευρέως στο εμπορευματοκιβώτιο πυρήνων των βιομηχανικών φούρνων όπως ο φούρνος αύξησης ενιαίου κρυστάλλου σαπφείρου, ο λειώνοντας φούρνος γυαλιού χαλαζία, ο φούρνος οσμηρών σπάνια γαίας, κ.λπ., και το λειτουργώντας περιβάλλον θερμοκρασίας του είναι γενικά επάνω από 2000 °C. Ειδικά για το φούρνο αύξησης ενιαίου κρυστάλλου σαπφείρου, high-purity, η υψηλή πυκνότητα, κανένας εσωτερική ρωγμή, ακριβές μέγεθος, ομαλός εσωτερικός και εξωτερικός τοίχος, κ.λπ., ο ρυθμός ανάπτυξης του κρυστάλλου σπόρου κατά τη διάρκεια της αύξησης του κρυστάλλου σαπφείρου, ο ποιοτικός έλεγχος του κρυστάλλου που τραβά, το degumming τηγάνι και η ζωή υπηρεσιών δεν διαδραματίζει έναν βασικό ρόλο.